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單晶和多晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)試設(shè)備

  • 簡(jiǎn)單描述:MDPmap單晶和多晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)試設(shè)備設(shè)計(jì)用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā)、測(cè)量少子壽命、光電導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息等參數(shù)的小型臺(tái)式無觸點(diǎn)電特性測(cè)量?jī)x器,在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)下(μ-PCD)下工作。
  • 更新時(shí)間:2024-08-29
  • 產(chǎn)品型號(hào):MDPmap
詳細(xì)介紹

MDPmap單晶和多晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)試設(shè)備介紹:

MDPmap設(shè)計(jì)用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā)、測(cè)量少子壽命、光電導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息等參數(shù)的小型臺(tái)式無觸點(diǎn)電特性測(cè)量?jī)x器,在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)下(μ-PCD)下工作。自動(dòng)的樣品識(shí)別和參數(shù)設(shè)置允許在從原始生長(zhǎng)晶片到高達(dá)95%金屬化晶片的各種工藝階段之后,容易地應(yīng)用于包括外延層的各種不同樣品。

MDPmap的主要優(yōu)點(diǎn)是靈活性高。例如,它允許集成多達(dá)四個(gè)激光器,用于從超低注入到高注入的與注入水平相關(guān)的壽命測(cè)量,或者通過使用不同的激光波長(zhǎng)提取深度信息。包括偏光設(shè)施,以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件的選擇。可以使用不同的測(cè)量圖形進(jìn)行客戶定義的計(jì)算,以及導(dǎo)出用于進(jìn)一步評(píng)估的主要數(shù)據(jù)。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量,預(yù)定義的標(biāo)準(zhǔn)僅通過按一個(gè)按鈕即可實(shí)現(xiàn)常規(guī)測(cè)量。

MDPmap單晶和多晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)試設(shè)備產(chǎn)品性能:

先進(jìn)材料的研究和開發(fā)

靈敏度: 對(duì)外延層監(jiān)控和不可見缺陷檢測(cè),

具有可視化測(cè)試的高分辨率

測(cè)試速度: < 5 minutes,6英寸硅片, 1mm分辨率

壽命測(cè)試范圍: 20ns到幾ms

玷污測(cè)試: 產(chǎn)生于坩堝和生產(chǎn)設(shè)備中的金屬沾污(Fe)

測(cè)試能力: 從切割的晶元片到所有工藝中的樣品

靈活性: 允許外部激發(fā)光與測(cè)試模塊進(jìn)行耦合

可靠性: 模塊化緊湊型臺(tái)式檢測(cè)設(shè)備,使用時(shí)間> 99


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